Title of article
A New Capacitorless 1T DRAM Cell: Surrounding Gate MOSFET With Vertical Channel (SGVC Cell
Author/Authors
Hoon Jeong، نويسنده , , Ki-Whan Song، نويسنده , , Il-Han Park، نويسنده , , Tae-Hun Kim، نويسنده , , Yeun Seung Lee، نويسنده , , Seong-Goo Kim، نويسنده , , Jun Seo، نويسنده , , Kyoungyong Cho، نويسنده , , Kangyoon Lee، نويسنده , , Hyungcheol Shin، نويسنده , , Jong Duk Lee، نويسنده , , Byung-Gook Park، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2007
Pages
6
From page
352
To page
357
Keywords
surrounding gate , vertical channel. , sensing margin , 1T DRAM cell , memory effect
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2007
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398949
Link To Document