مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Experimental Study on Breakdown of Mobility Universality in $langle 100rangle$-Directed (110)-Oriented pMOSFETs

Title of article :

Experimental Study on Breakdown of Mobility Universality in $langle 100rangle$-Directed (110)-Oriented pMOSFETs

Author/Authors :

Shimizu، نويسنده , , K.، نويسنده , , Tsutsui، نويسنده , , G.، نويسنده , , Januar، نويسنده , , D.، نويسنده , , Saraya، نويسنده , , T.، نويسنده , , Hiramoto، نويسنده , , T، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2007

Pages :

From page :

358

To page :

361

Keywords :

Fully depleted SOI MOSFET , inversion layermobility.

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Serial Year :

2007

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Record number :

398950

Link To Document :

https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=398950