Title of article
Characterization of Domain Switching Behavior of MTJ Cells Using Magnetic Force Microscopy (MFM) and R–H Loop Analysis
Author/Authors
Heo، نويسنده , , J.، نويسنده , , Kim، نويسنده , , K.، نويسنده , , Kim، نويسنده , , T.، نويسنده , , Chung، نويسنده , , I.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2008
Pages
3
From page
169
To page
171
Keywords
magneticrandom access memory (MRAM) , vortex. , Magnetic force microscopy (MFM) , magnetic tunneling junction(MTJ)
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2008
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
399033
Link To Document