Title of article :
High-Performance Twin Silicon Nanowire MOSFET (TSNWFET) on Bulk Si Wafer
Author/Authors :
Suk، نويسنده , , S. D.، نويسنده , , Yeo، نويسنده , , K. H.، نويسنده , , Cho، نويسنده , , K. H.، نويسنده , , Li، نويسنده , , M.، نويسنده , , Yeoh، نويسنده , , Y. Y.، نويسنده , , Lee، نويسنده , , S. -Y.، نويسنده , , Kim، نويسنده , , S. M.، نويسنده , , Yoon، نويسنده , , E. J.، نويسنده , , Kim، نويسنده , , M. S.، نويسنده , , Oh، نويسنده , , C. W.، نويسنده , , Kim، نويسنده , , S. H.، نويسنده , , Kim، نويسنده , , D.-W.، نويسنده , , Park، نويسنده , , D.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2008
Pages :
4
From page :
181
To page :
184
Keywords :
twin silicon nanowire , TSNWFET , BulkMOSFET , gate all around (GAA) , High performance , MOSFET , nanowire , 5 nm.
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year :
2008
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number :
399036
Link To Document :
بازگشت