• Title of article

    Comparative Study on Drive Current of III–V Semiconductor, Ge and Si Channel n- mosfets based on Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation

  • Author/Authors

    Mori، نويسنده , , T.، نويسنده , , Azuma، نويسنده , , Y.، نويسنده , , Tsuchiya، نويسنده , , H.، نويسنده , , Miyoshi ، نويسنده , , T.، نويسنده ,

  • Issue Information
    روزنامه با شماره پیاپی سال 2008
  • Pages
    5
  • From page
    237
  • To page
    241
  • Keywords
    Ballistic transport , quantum-corrected MonteCarlo (MC) simulation. , drive current , high mobilitychannel materials , nanoscale MOSFETs
  • Journal title
    IEEE Transactions on Nanotechnology
  • Serial Year
    2008
  • Journal title
    IEEE Transactions on Nanotechnology
  • Record number

    399045

    • Link To Document
    https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=399045