مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Depth profile of disorders in silicon induced by O+ and Si+ ion bombardments

Title of article :

Depth profile of disorders in silicon induced by O+ and Si+ ion bombardments

Author/Authors :

Kazuo Shin، نويسنده , , Motoyuki Suzuki، نويسنده , , Makoto Okazaki، نويسنده , , Ikuji Takagi، نويسنده , , Kouji Yoshida، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 1995

Pages :

From page :

545

To page :

546

Journal title :

Applied Radiation and Isotopes

Serial Year :

1995

Journal title :

Applied Radiation and Isotopes

Record number :

539285

Link To Document :