Deconvoluted Si 2p Photoelectron Spectra of Ultra thin SiO2 film with FitXPS method

انگيزه اصلي براي تحقيق ما تهيه ي دي اكسيد سيليكون نازك روي ابزارهاي نانوي بستر سيليكوني به واسطه ي علاقمندي جهاني در اين زمينه مي باشد. براي بهتر شدن شناخت در دي اكسيد هاي سيليكوني، كه مي تواند با بهترين تطابق طيف هاي آزمايشگاهي همراه باشد، نياز است. قوانين اسپين بالا و اسپين پايين براي مطالعه خواص ساختاري نانوي بالك، حالات سطحي و سطح مشترك فيلم خيلي نازك، پايين تر از2 نانومتر و همچنين جذاب براي زمينه ي آگاهي سطحي مطرح شده است. نتايج حاصله نشان داده اند كه حالات ذكر شده مي تواند تعيين شود و با جهت گيري اسپيني در روش FitXPS مشخص مي شود.

The main impetus for our research is provided by the growing interest worldwide in ultra thin silicon dioxide on silicon based nano devices. The obvious need for better knowledge in the ultra thin gate silicon dioxides, is motivated both by interests in fundamental research and phenomenology as well as by interests in possible applications, which can be found with better fitting of experimental spectra. The up – and down- spin roles are considered for studying the nano structural properties of bulk, interface and surface states of ultra thin film, down to 2 nm and also appealing to the field of surface science. The obtained results show the above states can be determined and distinguished with spin orientations in FitXPS method.