مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Growth temperature dependence of strain in a GaN epilayer, grown on a c-plane sapphire substrate

Title of article :

Growth temperature dependence of strain in a GaN epilayer, grown on a c-plane sapphire substrate

Author/Authors :

S. I. Cho، نويسنده , , K. Chang، نويسنده , , M. S. KWON، نويسنده ,

Issue Information :

دوهفته نامه با شماره پیاپی سال 2008

Pages :

From page :

406

To page :

408

Journal title :

Journal of Materials Science

Serial Year :

2008

Journal title :

Journal of Materials Science

Record number :

833870

Link To Document :