Author/Authors :
W. Winkler*، نويسنده , , J. Borngra¨ber، نويسنده , , B. Heinemann، نويسنده , , H. Ru¨cker، نويسنده , , R. Barth، نويسنده , , J. Bauer، نويسنده , ,
D. Bolze، نويسنده , , J. Drews، نويسنده , , K.-E. Ehwald، نويسنده , , T. Grabolla، نويسنده , , U. Haak، نويسنده , , W. Ho¨ppner، نويسنده , , Michael D. Knoll، نويسنده , , D. Kru¨ger، نويسنده , , B. Kuck، نويسنده , , R. Kurps، نويسنده , , M. Marschmeyer، نويسنده , , H. Richter، نويسنده , ,
P. Schley، نويسنده , , D. Schmidt، نويسنده , , R. Scholz، نويسنده , , B. Tillack، نويسنده , , D. Wolansky، نويسنده , ,
H.-E. Wulf، نويسنده , , Y. Yamamoto، نويسنده , , P. Zaumseil، نويسنده ,
Abstract :
Carbon-doped SiGe (SiGe:C) bipolar devices have been developed and integrated in to a 0.25 mm CMOS platform. The
resulting SiGe:C BiCMOS technology offers a wide spectrum of active and passive devices for wireless and wired
communication systems. A high-performance variant of the bipolar transistor has been derived from the standard transistors
by reduction of some transistor dimensions. With these alterations, fT and fmax of the bipolar transistors reaches 120 and
140 GHz, respectively. Circuit applications of the devices are demonstrated. Static and dynamic divider circuits have a
maximum input frequency of 62 and 72 GHz, respectively. Integrated LC oscillators with frequencies up to 60 GHz are also
demonstrated.
# 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.
