هدف از اين پروژه تعيين مكانيزم پراكندگي در تك كريستال inSb نوع n و p مي باشد. براي اين منظور از دماي K 77 درجه تا 063 K درجه ، آزمايش اثر هال را با ميداني به شدت 7900 گوس ، انجام داده و به طور همزمان تغييرات ثابت هال و هدايت الكتريكي و تحرك را نسبت به دما مشخص نموده ايم ...
