45082

مطالعه تجربي اكسيداسيون Si

تقوي نيا نيما نويسنده , ايرجي زاده اعظم نويسنده

دانشگاه صنعتي شريف ، دانشكده علوم فيزيك

فوق ليسانس

214

1375

اكسايش , سيليسيم , بخش فيزيك , تفنگ يوني , عدسي الكترواستاتيك

علوم پايه

هدف از اين پروژه مطالعه اكسيداسيون سطح 3i از يك ديدگاه ميكروسكوپي است . سطح Si در معرض اكسيژن دهي آرام در يك محفظه UHV قرار گرفته و تغييرات پوشيدگي برحسب زمان بوسيله پيك اوژه Si اندازه گيري شده است . بوسيله يك مدل جذب فيزيكي - جذب شيميايي - دفع سطحي SiO نتايج تجربي تفسير شده اند. ...

1-1

فارسي