عنوان :
شبيه سازي و تست اثر ميدان الكترومغناطيسي برخطوط رابط مدارات داخل يك محفظه به منظور مطالعه اثرات تخريبي آن
پديدآورندگان :
نصيري مهدي نويسنده , عبيري حبيب الله نويسنده
نام دانشگاه :
دانشگاه شيراز
كليدواژه زبان طبيعي :
رده مهندسي برق الكترونيك خطوط رابط ضريب تاثير پوشش امكان سنجي تخريب ميدان الكترومغناطيسي مدارات }VLSI{
چكيده :
در اين پايان نامه اثر انواع روزانه ها در ضريب تاثير پوشش بررسي مي شود. ابتدا انوا ع مدلهاي موجود مورد بررسي قرار گرفته و يك مدل ساده كه با دقت مناسبي در برخي موارد عملي قابل استفاده است ارايه مي گردد. سپس با توجه به پيچيدگي مساله ، در حالت كلي اثر تابش امواج خارجي بر پوشش هاي داراي انواع روزانه ها توسط آزمايش تعيين مي گردد. براي اندازه گيري تاثير انواع روزانه ها توان القا شده به يك خط انتقال رابط رايج در مدارات VLSI در حالات مختلف اندازه گيري مي شود و براساس توان تزويج شده به خط مي توان در مورد ميزان توان نفوذي به پوشش از طريق روزنه ها قضاوت نمود. بدين ترتيب مي توان روش هايي را براي كاهش اثر امواج نفوذي برعملكرد مدارات VLSI ارايه نمود.
