عنوان :
مدل بندي مشخصات ترابردي ترانزيستور با تحرك الكتروني بالا AlGaN/Gan
پديدآورندگان :
پارسامقدم شيما نويسنده , كلافي ، منوچهر ف سلطاني ، علي نويسنده
نام دانشگاه :
دانشگاه تبريز
كليدواژه زبان طبيعي :
ساختار نامتجانس گاز الكتروني دو بعدي پراكندگي تحرك پذيري فيزيك رده علوم پايه
چكيده :
گاز الكتروني دو بعدي در ساختار نامتجانس AlxGa1-x N/GaN به علت قطبش قوي در ساختار القا مي شود، در نتيجه اين تركيب براي ترانزستور با تحرك الكتروني بالا مناسب مي باشد. غلظت حاملين سطحي و حضور گاز الكتروني دو بعدي در نزديكي مرز مشترك به خواص فيزيكي متنوعي همانند قطبش سه آلياژ كشش ضخامت و آلايش در سد AlGaN وابسته است . غلظت حاملين سطحي كه به وسيله قطبش القا شده با حل خودسازگار همزمان دو معادله شسرودينگر و پواسون محاسبه مي شود...
