عنوان :
بررسي اثر فونون هاي داغ بر روي گاز الكتروني دوبعدي ساختارهاي نامتجانس AlGaN/GaN
پديدآورندگان :
نورقاسمي الهام نويسنده , كلافي ، منوچهرفعسگري ، اصغر نويسنده
نام دانشگاه :
دانشگاه تبريز
كليدواژه زبان طبيعي :
فونون داغ الكترون داغ زمان واهلش ساختار نامتجانس پراكندگي الكترون فونون نويز فيزيك رده علوم پايه
چكيده :
در اين پايان نامه به بررسي اثر فونونهاي داغ در يك گاز الكتروني دوبعدي AlGan/GaN پرداخته شده است . ساختارهاي نامتجانس AlGaN/GaN به علت خواص پيزوالكتريكي بالاي موجودشان ، باعث تشكيل گاز الكتروني بالا با چگالي بالا كه در چاه كوانتومي فصل مشتركشان ايجاد مي گردد، كاربرد وسيعي در صنعت الكترونيك با فركانسهاي بالا پيدا كرده اند. لذا بررسي چنين ساختارهايي براي ايجاد يك ترانزيستور از جنبه هاي مختلف فيزيكي حايز اهميت بسياري مي باشد. از جمله مواردي كه تا به حال به آن پرداخته نشده است و يا خيلي كم مورد توجه واقع شده ، اثر فونونهاي داغ مي باشد. فونونهاي داغ به فونونهاي اتلاق مي شود كه در اثر نشر فونونهاي اپتيكي از الكترونهايي با دماي بالا (الكترونهاي داغ ) ايجاد شده اند. اما علت داغ بودن الكترونها، تراكم بسيار بالاي گاز الكتروني ايجاد شده از خواص قوي پيزوالكتريكي مواد GaN و AlGaN در فصل مشترك اين دو در يك فضاي بسيار كوچك مي باشد. در اين پايان نامه به بررسي آثار اين فونونها در خواص ترابردي ترانزيستورهاي اثر ميدان يا با تحرك پذيري بالاي AlGaN/GaN به ويژه مشخصات I-V پرداخته شده است . براي بررسي اثر فونونهاي داغ از تكنيك نويزميكرويو كوتاه مدت در يك كانال گاز الكتروني دوبعدي ميدان قوي استفاده شده است . در پايان نيز پس از تحليل هاي انجام گرفته ، نتيجه مي گيريم كه فونونها نقش بسزايي را در خواص ترابردي الكترونها بخصوص در كاهش جريان و تحرك پذيري آنها دارند.
