عنوان :
تاثير جايگزيني اكسيد Pr به جاي اكسيد Bi روي خواص الكتريكي و الكترونيكي وريستورهاي بر مبناي Zno
پديدآورندگان :
شيرين پور مصطفي علي نويسنده , اسكندري رحمت اله نويسنده
نام دانشگاه :
دانشگاه تبريز
كليدواژه زبان طبيعي :
وريستور خواص الكتريكي }Zno{ اكسيد }Pr{ فيزيك رده علوم پايه
چكيده :
وريستورهاي Zno قطعات سراميكي چندتركيبي هستند كه خاصيت غيرخطي I-V آن ها، آن ها را در مدارات الكتريكي و الكترونيكي و محافظت آن ها در برابر ولتاژهاي خطرساز قابل استفاده كرده است . در ساخت وريستورهاي رايج امروزي عمدتا از افزودن اكسيد Bi به عنوان اكسيد وريستورساز و ديگر اكسيدهاي فلزي استفاده مي شود. در اين نوع وريستورها مشكلاتي نظير تبخير اكسيد Bi و پايين بودن ضريب غيرخطي وجود دارد. لذا تحقيقاتي براي يافتن موادي ديگر كه بتواند در نقش اكسيد وريستورساز ظاهر شود، صورت گرفته است . اكسيد Pr يكي از آن مواد است كه وريستورهاي ساخته شده از آن خواص بهتري نسبت به وريستورهاي آلاييده با اكسيد Bi نشان مي دهند. براي ساخت وريستور، اكسيدهاي Zn ، Pr ، Co ، Cr و Y به ترتيب با درصدهاي مولي 97/5، /5.، 1، /5. و /5. به صورت پودر با هم مخلوط شده و به مدت 10 ساعت در هاون آسياب گرديد. در دماي 750 درجه سانتيگراد به مدت 2 ساعت تكليس شده و پس از تكليس طيف XRD آن تهيه گرديد. دوباره به مدت 5 ساعت آسياب شده و سپس 3 درصد وزني PVA به صورت محلول به آن افزوده شد. پودر نهايي با افزودن PVA گرانوله شده و به صورت ديسك هايي به قطر mm 13 تحت فشارهاي 3، 4/5 و 6 تن پرس شدند. قرص ها در دماهاي 1300 و 1350 درجه سانتيگراد به مدت 2 ساعت در هوا بازبخت گرديدند. پس از بازپخت در دو طرف قرص ها با استفاده از چسب نقره الكترودگذاري گرديد و اندازه گيري هاي الكتريكي انجام شد. در نهايت نيز تصاوير SEM از سطوح نمونه ها تهيه گرديد...
