عنوان :
بررسي آهنگ واهلش انرژي در ساختارهاي چند لايه اي ALGAN/GAN
پديدآورندگان :
بابانژاد سعيد نويسنده , عسگري اصغر نويسنده
نام دانشگاه :
دانشگاه تبريز
كليدواژه زبان طبيعي :
واهلش انرژي واهلش ممنتم زمان هاي واهلش فونون اپتيكي الكترون هاي داغ گاز الكترون دو بعدي پراكندگي فونون آكوستيكي پتانسيل تغيير شكل پيزوالكتريك ساختارهاي نامتجانس چاه كوانتومي رده علوم پايه فيزيك
چكيده :
در حال حاضر مواد نيمرساناي گاف باندي III-V موضوعاتي هستند كه به خاطر كاربرد وسيعشان در قطعات الكترونيكي و اپتيكي هم از نظر نظري و هم تجربي بشدت مورد تحقيق و بررسي قرار گرفته اند LED . هاي طول موج كوتاه و ليزرهايي كه مي توانند در نمايشگرها و ذخيره اطلاعات با حجم بالا مورد استفاده قرار گيرند، و ذخيره كننده هاي داده ها با حجم بالا FET هاي توان بالا و HEMT هاي عمل كننده در دماهاي بالا نمونه هايي از اين قطعات هستند...
