مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - كنترل گاز حفره اي دو بعدي در ساختارهاي دريچه دار P-Si/SiGs/Si

چكيده :

ساختارهاي نامتجانس .... را مي توان به روشهاي رشد رونشاني پيشرفته مانند پرتو مولكولي }MBE{ بر روي بستر }SI{ رشد داد. نظريه و تجربه نشان داده است كه يك چاه پتانسيل كوانتومي در نوار ظرفيت اين ساختارها (در محل لايه آلياژي و در امتداد رشد) به وجود مي آيد. اگر بخشي از لايه }SI{ (قبل يا بعد از لايه آلياژي ) با ناخالصي نوع }P { مثلا}B "{ آلاييده شود، حفره هاي حاصل از آنها به ترازهاي كم انرژي چاه كوانتومي مذكور انتقال مي يلبد و تشكيل يك گاز حفره اي دو بعدي }2-DHG{ مي دهند. چگالي سطحي }N2{ اين گاز حفره اي به مشخصات ساختار از جمله غلظت }GE{ در آلياژ}X { و فاصله بخش آلاييده تا چاه كوانتومي }LS{ بستگي دارد. از آنجا كه چنين ساختارهايي نامزدهاي مناسبي براي ترانزيستورهاي اثر ميداني }FET{ هستند، مطالعه خواص الكتريكي و مغناطيسي گاز حفره اي حاصل در اين ساختارها در دو دهه اخير همواره از اهميت خاصي برخوردار بوده است . به طور كلي مقايسه نتايج تجربي پراكنده و محاسبات نظري پيوسته ، مطالعه و نتيجه گيري نظام مند را مشكل مي سازد و خوشبختانه در ساختارهاي .....