دراسة تاثير تركيز الثايوريا على الخصائص التركيبية والبصرية والكهربائية لاغشية (Cu2S) والمحضرة بطريقة الترسيب بالحمام الكيميائي (CBD)

في هذه الدراسة تم ترسيب اغشية كبريتيد النحاس (Cu2S) بواسطة تقنية الترسيب بالحمام الكيميائي CBD. تمتدراسة تاثير تغيير التركيز المولاري لمادة الثايوريا (2(SC(NH2 ) عند M 1.5,1.3 ,1 ,0.6) على الخواص التركيبية والبصرية والكهربائية لاغشية CuS. اوضحت الخصائص البصرية ان فجوة الطاقة البصرية للاغشية كانت ضمن المدى ( 2.68-2.75eV ). تشير نتائج حيود الاشعة السينية الى ان الاغشية المرسبة كانت ذات تركيب نانوي عند زاوية الحيود 32.7° يقابله المستوي البلوري (431) والتي تنتمي الى البنية البلورية احادي الميل (Monoclinic) وذاتطور (Chalcocite). الفحص للمجهر الالكتروني الماسح (SEM) اوضح تكوين اغشية CuS ذو البنية النانوية بحجم حبيبي يتراوح ( 90-140nm). وتم ايضا استخدام مجهر القوة الذرية (AFM) لدراسة طبوغرافية سطح اغشية (CuS) وكيفية توزيع الحبيبات وخشونة السطح لهذه الاغشية، وتم استخدام مطيافية تشتت الطاقة بالاشعة السينية (EDX)، وتوضح دراسة التحليل الطيفي لرامان قمتين يقعان عند 265,474cm. نتائج قياس هول اوضحت ان جميع الاغشية من النوع pوان التوصيلية تتزايد مع زيادة التركيز المولاري لمادة الثايوريا.