اثرات دماي زير لايه بر روي نانو ساختارهاي تري اكسيد تنگستن WO3 سنتز شده به روش HFCVD

The Effects of Substrate Temperature on WO3 Nanostructure Synthesized by HFCVD Method

نانووال های WO3 در ساختار مونوكلینیك بر روی زیر لایه های سیلیكون به روش HFCVD بدون كاتالیست رشد كردند. محصولات به وسیله ی آنالیزهای Four-point probe و XRD, FESEMبررسی شدند. تصاویر FESEM و الگوهای XRD نشان دادند كه كریستالی نمونه ها زمانی كه دمای زیر لایه به 800C° افزایش می یابد بهبود یافته است. شدت پیك های WO3 با افزایش دمای زیر لایه افزایش یافته كه به این دلیل است كه افزایش انرژی، اتم ها را قادر می سازد كه پخش شوند و در نتیجه یك ساختار بلوری كامل تر را تشكیل دهند از تصاویر FESEM میتوان دریافت كه پهنانی نانووالها 80-300nm و طول آنها در حدود 5µm است. همچنین نتایج اندازه گیری الكتریكی نشان داده است كه مقاومت با افزایش دمای زیر لایه كاهش یافته است. در چنین روشی نمونه های با كریستالی بالاتر مقاومت سطحی را در حدود 36Ω/sq و مورفولوژی نانووالهای تیزتر در درمای 800C° بدست آمد.

Tungsten trioxide(WO3) nanowalls in monoclinic structure were grown on Si substrate by a hot filament chemical vapor deposition(HFCVD) method without using catalysts.The products were characterized by field emission scanning electron microscopy(FESEM),X-ray diffraction(XRD) and four-point probe instrument.The FESEM images and XRD patterns show that crystallinity of the samples was improved when the substrate temperature increases to 𝟖𝟎𝟎𝑪𝟎.The peaks intensity of WO3 are enhanced by increasing the substrate temperature, which can be understood based on the fact that thermal energy enable atoms to diffuse,as a result,a more perfect crystal structure was obtained.from FESEM image, it can be seen that by increasing the temperature the nanowalls structure appears and continues to grow sharper.the width of the nanowalls is in the range of 80- 300 nm and lengths of them are about 5 micrometers.Also the electrical measurement results show that the resistivity decreased with increasing the substrate temperature,in such a way high crystallinity sample with sheet resistance of 36 𝜴⁄𝒔𝒒 and sharper nanowalls morphology were obtained with a temperature of 800 𝑪𝟎.