بررسي قدرت نوسان كنندگي وابسته به جهت در ساختار چاه كوانتومي نيم رسانا - گرافن - نيمرسانا

Investigation of OscillatorStrength Depended on the Direction in planar structure of the quantum well based on Semiconductor-Graphene-Semiconductor

در این مقاله با بهره گیری از حل معادله دو بعدی دیراك ، كمیت قدرت نوسان كنندگی (پارامتر اصلی جذب نوری) را برای سامانه دو بعدی (صفحه ای) چاه كوانتومی متشكل از یك نوار گرافنی و دو نوار نیم رسانا محاسبه می كنیم. نتایج پیش بینی می كنند كه قدرت نوسان كنندگی در چاه كوانتومی گرافنی و در نتیجه احتمال گذارهای نوری در چاه كوانتومی گرافنی به تكانه موازی با چاه كوانتومی الكترون دیراك وابسته است و هرچه تكانه ذره در راستای موازی با چاه كوانتومی (عمود بر راستای رشد چاه كوانتومی) بیشتر باشد تعداد حالت های مقید افزایش می یابد و در نتیجه جذب نوری نیز افزایش خواهد یافت.

In this paper, by solving the 2D Dirac equation numerically, the oscillator strength, main parameter of optical absorption, for planar system of quantum well based on graphene strip surrounded by two semiconductor strips, has been calculated. Our findings show that, oscillator strength in such quantum well system depends on parallel (in-plane) component of electron momentum. Increasing the momentum in direction normal to quantum well growth leads to increasing of states and subsequently optical transition.