بررسي اثر دماي محلول رسوب گيري بر ريخت شناسي و گاف نواري انرژي لايه نازك Co-Se و Ni-se

Investigation of effect of temperature deposition solution on the morphology and the band gap energy for thin-layer Co-Se and Ni-Se

يكی از ساده ترين و مقرون به صرفه ترين روش ها كه كاربرد گسترده ای در ساخت لايه های نازك دارد، رسوب گيری از محلول شيميايی ( CBD ) می باشد. اين پژوهش، به مقايسه بين لايه نازك Co-Se و Ni-Se با استفاده از روش CBD پرداخته كه با ضخامت های مختلف در دماهای متفاوت بر روی زير لايه ی شيشه ای لايه نشانی شده اند. پارامترهای ساختاری مانند اندازه ی دانه ها ( D )، گاف انرژی، خواص نوری و ساختاری اين نانوذرات از طريق پراش اشعه X و طيف سنجی فرابنفش - مرئی، ( UV/Vis ) مورد مطالعه قرار گرفت؛ همچنين ريخت شناسی سطح اين لايه ها با ميكروسكوپ الكترونی پويشی بررسی گرديد. مطالعات ساختاری نشان داد، در دماهای بالا، نمونه ها دارای ساختار بلوری هگزاگونالی با گاف انرژی كوچك می باشند؛ بدين ترتيب می توان اين لايه نازك را بعنوان يك نيم رسانا با خاصیت رسانندگی قابل كنترل ، معرفی نمود.

One of the simplest and most cost-effective of methods that the application is being used to make thin films, is chemical precipitation bath (CBD). This study is the comparison between thin layers Co-Se and Ni-Se using method of CBD, that have been deposited on a glass substrate at the different thickness with different temperatures. Structural parameters such as grain size (D), energy gap, optical properties and Structural this nanoparticles were Studied by X-ray diffraction and UV – visible spectroscopy (UV / Vis); also the surface morphology of this layers was obtained using Scanning Electron Microscopy (SEM). Structural studies showed in high-temperatures, the samples have hexagonal crystalline structure with the small energy gap;thus it can be this thin film introduced as a semiconductor with controllable conductivity properties, announced