مطالعه خواص ساختاري و ميكروساختاري رساناي شفاف اكسيد اينديوم آلاييده با قلع

Study on structural and microstructural properties of transparent conductive Sn-doped Indium oxide

لایه هاي نازك اكسیدهاي رساناي شفاف به علت داشتن شفافیت اپتیكی بالا در ناحیه مرئی و رسانندگی الكتریكی مطلوب كاربردهاي گسترده اي در وسایل الكترونیك نوري دارند. در این بین ایندیوم اكسید قلع (ITO )به علت مشخصه هاي منحصربفرد مذكور و نیز چسبندگی زیاد به زیرلایه از پركاربردترین آن ها به شمار می آید. در این تحقیق لایه هاي نازك اكسید ایندیوم قلع به روش تبخیر با پرتو الكترونی بر روي زیرلایه شیشه اي در دماي 100 °C تهیه و سپس در دماي 300 ، 400 و 500°C به مدت دو ساعت بازپخت شدند. به منظور بررسی ساختار بلوري نمونه مورد نظر از تكنیك پراش سنجی پرتو ایكس (XRD) و براي شناسایی عناصر موجود در ساختار نمونه از آنالیز پراكندگی انرژي اشعه ایكس (EDX) استفاده شد. همچنین، با استفاده از میكروسكوپ نیروي اتمی (AFM) ریخت شناسی سطح بررسی شد.

The transparent conducting oxide materials have extended their broad spectrum of applications in the optoelectronic devices because of the fortunate combination of visible light transmission and high electrical conductance. Among the existing TCOs indium tin oxide (ITO) is one of the most frequently used materials, because of its unique characteristics such as good conductivity, high optical transmittance over the visible wavelength region and excellent adhesion to substrates. In this work,Tin-doped Indium oxide (ITO) thin films was formed by electron beam evaporation method on glass substrate kept at 110 oC. Then the films were annealed at 300,400 and 500The transparent conducting oxide materials have extended their broad spectrum of applications in the optoelectronic devices because of the fortunate combination of visible light transmission and high electrical conductance. Among the existing TCOs, indium tin oxide (ITO) is one of the most frequently used materials, because of its unique characteristics such as good conductivity, high optical transmittance over the visible wavelength region and excellent adhesion to substrates. In this work, Tin-doped Indium oxide (ITO) thin films was formed by electron beam evaporation method on glass substrate kept at 100 oC. Then the films were annealed at 300,400 and 500 oC, for 2 h. In order to study the crystal structure we use x-ray diffraction (XRD) technique, and for estimate the composition of the thin film sample energy dispersive x-ray analysis (EDX) was used. Also, atomic force microscopy (AFM) was used to monitor surface morphologies.