مشخصه يابي لايه هاي نازك اكسيدنيكل تهيه شده دردماهاي زيرلايه متفاوت

Characterization of nickel oxide thin films prepared at different substrate temperatures

دراین تحقیق، ابتدا لایه های نازك نیكل بر روی زیر لایه های سیلیكان با روش كندوپاش مغناطیسی DC در دماهای زیر لایه متفاوت انباشت شده و سپس لایه های تهیه شده به مدت 90 دقیقه در دمایC500 در كوره حرارتی تحت اكسیژن دهی حرارتی قرار گرفتند. نتایج آنالیز XRD بیانگر آن ا ست كه لایه های نازك اكسید نیكل در راستاهای كریستالی (200) رشد نموده اند و با افزایش دمای زیر لایه ساختار كریستالی لایه بهبود یافته است. آنالیزهای دو و سه بعدی AFMلایه های نازك اكسید نیكل نیز نشان می دهد كه دمای زیر لایه قبل از اكسیژن دهی حرارتی تاثیر به سزایی در مورفولوژی سطح و زبری لایه ها دارد.

In this study, firstly nickel thin films were deposited on silicon substrates by DC magnetron sputtering method. Then, thermal oxidation of prepared films was done in electrical furnace at 500C for 90 min under oxygen atmosphere. The XRD results showed that the nickel oxide films grown in (200) crystallography direction and by increasing the substrate temperatures the crystallinity of films improved. The two and three dimensional AFM images of nickel oxide films showed that the substrate temperature effectively influenced the films surface morphology and roughness