خواص فيزيكي لايه هاي نازك نيم رساناي SnS2:Cu تهيه شده به روش اسپري پايروليزيز

The physical properties of SnS2:Cu semiconductor thin films prepared by spray pyrolysis technique

در اين تحقيق لايه های نازك نيم رسانای شفاف سولفيد قلع آلاييده با ناخالصی مس بر روی زير لايه های شيشه ای با غلظت های متفاوت مس به روش اسپری پايروليزيز تهيه شده اند. سپس اثر غلظت مس بر روی خواص ساختاری، اپتيكی و الكتريكی لايه های نازك مورد مطالعه قرار گرفته است. لايه های تهيه شده توسط پراش پرتو ايكس (XRD) ، ميكروسكوپ الكترونی روبشی (SEM) و جذب نوری (UV-vis) مشخصه يابی شده اند. بررسی ويژگی های ساختاری نمونه ها به كمك طيف XRD نشان می دهد كه نمونه ها دارای ساختار بس بلور با يك قله ارجح مربوط به صفحه (001) فاز2SnS2 بوده و اندازه نانو بلوركها با افزايش غلظت مس به طور كلی يك روند كاهشی دارد. علاوه بر آن افزايش غلظت مس از 1% به 4% به طور كلی سبب می شود عبور در گستره نور مرئی از 34 % به 21 % كاهش يابد. گاف نوری لايه ها در گستره 266 تا 2/93eV می باشد. افزايش ناخالصی موجب رفتار كاهشی- افزايشی مقاومت می شود. لايه های نازك رسانش نوع n را نشان دادند.

In this research, transparent semiconductor tin sulfide thin films doped with copper impurity on a glass substrate with different concentrations of copper were prepared by spray pyrolysis technique. Then, The effect of copper concentration on structural, optical and electrical properties of thin films were studied. Produced layers are characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), and optical absorption (UV-vis).The Study of the structural characteristics of the samples using XRD analysis indicates that they have a polycrystalline structure with a preferred peak for planes (001) to SnS2 phase and nano-crystallines size decreases with increases in copper content. Additionally, increasing the concentration of copper from 1% to 4% causes, in general, decreasing the transmission in the range of visible light 34% to 21%. the optical band gap of the layers are in the range of 2.66 to 2.93 eV. Impurities increases led to a decreasing - increasing trend in the resistance. thin films exhibit n-type conductivity.