اثر باز پخت بر روي برخي ثابت هاي اپتيكي لايه هاي نازك ZnS تهيه شده به روش تبخير در خلا

لایه های نازك سولفید روی بر روی زیر لایه های شیشه ای در دمای اتاق با استفاده از روش تبخیر در خلا تهیه شدند. سپس لایه های نازك در دماهای 100 تا 400 درجه سانتیگراد در بازه های دمای 100 درجه سانتیگراد به مدت یك ساعت بازپخت شدند. ثابت های اپتیكی مانند ضریب شكست (n)، ضریب خاموشی (k) و رسانندگی اپتیكی نمونه ها بر حسب دمای بازپخت با استفاده از روش پوش مانیفاسیر محاسبه شدند. به نظر می رسد در اثر افزایش دمای بازپخت گاف انرژی (Eg) نمونه ها افزایش می یابد. تغییرات ضرایب جذب اپتیكی در اثر افزایش دمای بازپخت نیز مشاهده شد.

Zinc sulfide thin films were prepared on glass substrates at room temperature using vacuum evaporation method The obtained films were annealed at temperatures ranging from 100 to 400 °C in steps of 100 °C for 1 h. The optical constants such as the refractive index (n), the extinction coefficient (k), and the optical conductivity of films are calculated depending on the annealing temperature using Manifaciers envelope method. By annealing, the energy gap (Eg) values were seen to be increased in films. The optical absorption coefficient changes were observed in the films