ساخت لايه هاي نازك مس با استفاده از روش هاي الكترو انباشت، الكترولس و تبخير در خلاء بر زيرلايه سيليكون و مقايسه ساختار آنها

Fabrication of Cu thin films using electrodeposition, electroless and evaporation on Si substrate and comparison of their structures

در اين تحقيق لايه هاي نازك مس بر زيرلايه نيمرساناي سيليكون به سه روش الكتروانباشت، الكترولس و تبخير در خلاء رشد داده شدند و ساختار آن ها با استفاد دستگاه طيف پراش اشعه X مورد مطالعه و بررسي قرار گرفتند. سپس با استفاده از ميكروسكوپ SEM ريخت شناسي وتركيب شيميايي نمونه ها مطالعه و با يكديگر مقايسه شد. نتايج نشان داد كه لايه توليد شده به روش الكتروانباشت ساختاري دانه اي با اندازه متوسط كمتر از nm 200 ، به روش تبخير در خلاء لايه بسيار همگن و يكنواخت و به روش الكترولس ساختار لايه با توجه به دماي رشد متفاوت است و هموارترين نمونه در دماي 47 ايجاد گرديده است.

In this work Cu thin films were grown on Si substrates using electrodeposition, electroless and evaporation. Their structures were studied by X-ray diffractometer. The morphology of the samples were then investigated by SEM.The result showed that electrodeposited film has granular structure with average size below 200nm in diameter. The evaporated layer was observed so homogenuse and uniform and it has been observed that the structure of the film grown by electroless is highly corresponed on the growth tempreture.