شماره ركورد كنفرانس :
3446
عنوان مقاله :
مدولاتور جذبی فشرده و سازگار با CMOS بر پایه وانادیوم دی اكسید
پديدآورندگان :
وحید احمدی , محسن حیدری
كليدواژه :
electro-absorption modulator , vanadium dioxide , silicon waveguide
كشور :
ايران
نويسنده :
بابك جانجان
كلمات كليدي :
electro-absorption modulator, vanadium dioxide, silicon waveguide
لينک به اين مدرک :
https://search.ricest.ac.ir/dl/search/defaultta.aspx?DTC=36&DC=132856
