مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - بررسی عملكرد و حساسیت ترانزیستور اثرمیدانی حساس به یون دو گیته

شماره ركورد كنفرانس :

3446

عنوان مقاله :

بررسی عملكرد و حساسیت ترانزیستور اثرمیدانی حساس به یون دو گیته

پديدآورندگان :

نگین معنوی زاده

كليدواژه :

ISFET , DG ISFET , Electrolyte , Insulator interface , Electrical double layer modeling

كشور :

ايران

نويسنده :

احسان محمدی

كلمات كليدي :

ISFET,DG ISFET,Electrolyte/Insulator interface,Electrical double layer modeling

لينک به اين مدرک :