بررسی عملكرد و حساسیت ترانزیستور اثرمیدانی حساس به یون دو گیته

پديدآورندگان

نگین معنوی زاده

كليدواژه

ISFET , DG ISFET , Electrolyte , Insulator interface , Electrical double layer modeling

كشور

ايران

نويسنده

احسان محمدی

كلمات كليدي

ISFET,DG ISFET,Electrolyte/Insulator interface,Electrical double layer modeling

لينک به اين مدرک