مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان گرافنی با نواحی سورس و درین مهندسی شده در فضای حقیقی

شماره ركورد كنفرانس :

3446

عنوان مقاله :

شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان گرافنی با نواحی سورس و درین مهندسی شده در فضای حقیقی

پديدآورندگان :

داود فتحی

كليدواژه :

GNRFET , Tight , binding , Double , lightly doped , NEGF.

كشور :

ايران

نويسنده :

امیر رستمی

كلمات كليدي :

GNRFET; Tight-binding; Double-lightly doped; NEGF.

لينک به اين مدرک :