مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - بررسی ترانزیستورهای همت با در صد آلومینیوم و ناخالصی غیر یكنواخت در لایه سد

شماره ركورد كنفرانس :

3446

عنوان مقاله :

بررسی ترانزیستورهای همت با در صد آلومینیوم و ناخالصی غیر یكنواخت در لایه سد

پديدآورندگان :

سید ابراهیم حسینی

كليدواژه :

GaN HEMT , Gate , source capacitance , Breakdown voltage , DC output conductance , maximum DC trans , conductance.

كشور :

ايران

نويسنده :

سید محمد رضوی

كلمات كليدي :

GaN HEMT; Gate-source capacitance; Breakdown voltage; DC output conductance; maximum DC trans-conductance.

لينک به اين مدرک :