ارائه يك تقويت كننده كم نويز باند پهن بدون اندوكتانس در تكنولوژي CMOS

در اين مقاله يك تقويت كننده كم نويز باندپهن بدون اندوكتانس ارايه شده است. براي بهبود پارامتر نويز فيگر از تكنيك حذف نويز استفاده شده است. توپولوژي مدار به صورت تركيب مدار گيت مشترك با سورس مشترك مي باشد كه به صورت مدار بالون عمل كرده و سيگنال تك سر دريافتي از آنتن را به يك سيگنال تفاضلي در خروجي تبديل مي كند. بهره مدار قابليت تنظيم به صورت ديجيتالي را دارا مي باشد و مي تواند در دو مد بهره بالا و بهره پايين كار كند. تقويت كننده مذكور در تكنولوژي 180nm CMOS طراحي و به كمك نرم افزار ADS شبيه سازي گرديد. نتايج بدست آمده از شبيه سازي ها نشان مي دهد كه نويز فيگر تقويت كننده پياده سازي شده در بدترين حالت در بازه فركانسي 0.2-4 GHz كمتر از 3.9 dB، متوسط بهره توان حدود 13.5 dB مي باشد. كل توان كشيده شده از منبع تغذيه 1.5 V حدود 6.6 mW مي باشد.