مدل سازي جريان كوانتمي درنانو ترانزيستورهاي گرافني دو لايه

گرافن داراي ويژگي باور نكردني انتقال حامل با كاربرد زياد در سطح تك ملكولي مي باشد. نانو نوارهاي گرافني در ساخت ترانزيستورها، مدارهاي مجتمع، ساطع كننده هاي مادون قرمز، سنسورها و... كاربرد دارند. از آنجايي كه لبه هاي گرافن تعيين كننده خواص الكتريكي آن هستند، مي توان آن ها را به دليل شكل متفاوتشان تحت كنترل در آورد. در اين مقاله گرافن نانو ريبون دو لايه (BGN) مورد بررسي قرار مي گيرد كه داراي دو ساختار متفاوت از نظرلبه مي باشد. ساختار AA از (BGN) داراي خواص فلزي است در حاليكه ساختار AB داراي خواص نيمه هادي با انرژي باند در حدود 0/02 ولت است. در اينجا ابتدا پلت فرم پايه ترانزيستور شاتكي براي گرافن نانو ريبون دو لايه مدل سازي شده است. سپس ضريب انتقال به عنوان عامل اصلي انتقال مورد بحث قرار گرفته و خواص كوانتومي آن با توجه به پارامترهاي ساختاري تجزيه و تحليل مي شود. در پايان جريان كوانتمي را به دست آورده و با داده هاي تجربي مقايسه مي كنيم كه بين مدل پيشنهادي و داده هاي تجربي هماهنگي خوبي وجود دارد.