طراحي و شبيه سازي دو مدار پايه محاسباتي با افزاره هاي نانو مقياس مبتني برنانولوله هاي كربني

مدارات پايه محاسباتي ، به دليل توانايي در پياده سازي چهار عمل اصلي محاسباتي (جمع، تفريق، ضرب و تقسيم) به عنوان يكي از مهمترين و پركاربردترين بخشهاي اصلي پردازنده هاي ديجيتالي در طراحي مدارهاي مجتمع، شناخته مي شود با احتساب اين موضوع براي تحول در سيستم هاي پردازشي بايد ساختاري جايگزين يا بهبود يافته براي جمع كننده ها طراحي كرد . پس از نانو متري شدن ابعاد ترانزيستورها و كشف قطعاتي همچون ترانزيستورهاي مبتني بر نانو لوله هاي كربني و از آنجايي كه در سال هاي اخير ترانزيستور هاي CNTFET بازده بهتري به نسبت MOSFET داشته ، تلاش ها براي طراحي ، اجرا و عملياتي كردن مدارات با CNTFETها افزايش چشمگيري داشته است . در اين پژوهش تلاش شده است كه سلول تمام جمع كنندي جديدي با بهره گيري از تكنولوژي CNTFET (ترانزيستورهاي مبتني بر نانولوله ي كربني) ، جهت دستيابي به مداري با عملكردي مناسب و توان مصرفي كم، ارايه گردد. طرح پيشنهادي با استفاده از 26 ترانزيستور نانو لوله كربني و با استفاده از ساختار xor/xnor پياده سازي شده است . شبيه سازي مدار با نرم افزار HSPICE و در ولتاژ 0/9 ولت انجام گرفته است . مدارات را در سه ولتاژ مختلف مورد آزمايش قرار داده شده و در پايان مقايسه اي ميان مدار پيشنهادي و مدل هاي پيشين صورت گرفته است و نتايج آن در چند جدول آورده شده است.