شبيه سازي نانو ماسفت ها با توزيع ناخالصي گاوسي در انتقال اتلافي

Simulation of nanoscale MOSFETs with gaussian doping profile in dissipative transport

نانو ماسفت بسيار باريك كاملا تهي شده با توزيع ناخالصي گاوسي در انتقال اتلافي شبيه سازي شده است. براي توصيف كردن اثرات كوانتومي، روش تابع گرين غير تعادلي استفاده شده است. ابزار با حل كردن معادلات جفت شده پواسن و شرودينگر شبيه سازي شده است. براي توصيف پراكندگي، بينش پروب بوتيكر بكار برده شده است. بينش فضاي مد براي كاهش زحمت محاسباتي استفاده شده است. مشخصات الكترونيكي وسيله رسم و با حالت بالستيك مقايسه شده است.

Thin body, fully depleted DG MOSFET with gaussian doping profile in dissipative transport has been simulated. For describing quantum effects, the non-equilibrium Green’s function method has been used. The device has been simulated by solving coupled the Poisson and Schrödinger equations. For description of scattering, Büttiker probe approach has been used. The mode space approach has been used to decrease computational burden. Electronic characteristics of device have been plotted and compared with ballistic case.