ويژگي جريان- ولتاژ يك پيوند p-n بر مبناي گرافان

Current-Voltage Characteristics of a Graphane Based p-n Junction

بر خلاف گرافين كه يك نيمه هادي فاقد گاف انرژي است، گرافان كه معادل گرافين هيدروژنه شده است، يك نيمه هادي داراي گاف انرژي است. اين موضوع امكان آلايش گرافان و تعريف نواحي p و n را فراهم مي كند. بنابراين با در نظر گرفتن اين موضوع در كنار ويژگي هايي چون ساختار دوبعدي و انتقال الكتريكي منحصر بفرد در اين نيمه هادي، امكان طراحي يك پيوند p-n بر مبناي گرافان وجود دارد. اين مقاله يك تحليل مقدماتي براي بدست آوردن منحني جريان-ولتاژ چنين پيوندي را معرفي مي كند. همچنين نشان مي دهيم مشروط بر آنكه قانون شاكلي در اين مورد هنوز معتبر باشد، رفتار يك پيوند ايده آل را انتظار داريم.

The hydrogenated graphene is known to be a semiconductor with an energy gap. Together with the twodimensional geometry, unique transport features of graphene, and possibility of doping graphane, p and n regions can be defined so that 2D p-n junctions become feasible with small reverse currents. This paper introduces a basic analysis to obtain current-voltage characteristics of such a 2D p-n junction based on graphane. Using the Shockley law of junctions, an ideal I-V characteristic for this p-n junction is found.