اثر دما بر جريان الكتروني چاه كوانتمي دو بعدي در ترانزيستورهاي تحرك پذير بالاي الكتروني AlGaN/GaN

Effect of temperature on the electronic current of two dimensional quantum well in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMT)

در اين مقاله يك مدل تحليلي - عددي براي جريان الكتروني چاه كوانتمي دو بعدي ترانزيستورهاي اثرميدان AlGaN/GaN ارائه شده كه قادر مي سازد بطور دقيق اثر دما را برجريان الكتروني چاه كوانتمي دو بعدي بدست آوريم. در اين مدل زير باندهاي پر ونيمه پر چاه كوانتمي دو بعدي ، بهمراه تركيبي از حل خودسازگار معادله شرودينگر و پواسون و همچنين وابستگي به دماي گاف نواري ، تراكم الكتروني چاه كوانتمي، ولتاژ آستانه، تحرك الكتروني، ثابت دي الكتريك ،چگالي بار قطبش القايي منظور شده است . نتايج حاصله از مدل تطابق خوبي با داده هاي تجربي موجود براي ساختار ترانزيستورهايي با تحرك پذيري بالاي الكتروني را دارد.

An analytical-numerical model for the electronic current of two dimensional quantum well AlGaN/GaN in HEMTs has been developed in this paper that is capable of accurately predicting the effect of temperature on the electronic current of two dimensional quantum well. Salient futures of the model are incorporated of fully and partially occupied sub-bunds in the interface quantum well .In addition temperature dependent of band gap , quantum well electron density , threshold voltage, mobility of electron , dielectric constant , polarization induce charge density in the device are also take in to account . The calculated model results are in very good agreement with existing experimental data for HEMTs device.