مطالعه اپتيكي نانو ساختارهاي چاه كوانتومي با گاف انرژي پهن تري نيترايد

Optical study of wide band gap III-nitride quantum wells nanostructures

در اين مقاله با اندازه گيري طيف فتولومينسانس و فتولومينسانس وابسته به زمان يكسري از نانوساختارهاي نيتروژن دار ( چاه هاي كوانتومي نيتروژن دار GaN/AlGaN تاثير مقدار درصدAl را بر روي انرژي پيك طيف فتولومينسانس حاصل از اين چاههاي كوانتومي و زمان واهلش حاملها مورد بررسي قرار گرفته است . اندازه گيري هاي ما نشان مي دهد كه با افزايش ميزانAl زمان واهلش نمونه ها افزايش يافته و همچنين پيك انرژي گسيلي به سمت انرژيهاي بيشتر شيفت پيدا خواهد نمود . همچنين اثر ميزان Al در جايگزيدگي حامل ها موجود در اين ساختار با استفاده از وابستگي دمايي انرژي قله طيف فتولومينسانس مورد بررسي قرار گرفته است و نشان داده شد كه با سه برابر شدن ميزان Al انرژي جايگزيدگي در اين ساختار تقريباً دو برابر خواهد شد.

The effect of Al composition on photo luminescence(PL) peak energy and decay time of carriers in GaN/AlGaN multiple quantum well (MQW) nano structures has been studied by means of Photo luminescence (PL) and Time Resolved Photo luminescence (TRPL) techniques. It is found that there is an increasing of the decay time at the PL peak emission with increasing Al composition. A slight upshift in QWs PL peak with increasing Al composition is observed, which is counteracted by the expected rise of the internal QW electric field with increasing Al. an‎d also the localization energies have been evaluated by studying the variation of the QW emission energy versus temperature and we found out that Al content has a critical impact on localization energy of these MQW Structures so that with increasing the Al composition three times the localization energy of carriers becom two times bigger in magnitude