مطالعه نانو خوشه هاي سيليكان بوسيله روش مونت كارلوي پخشي

Studying silicon nanoclusters by Diffusion Quantum Monte Carlo

اين مقاله به مطالعه نانو خوشه هاي سيليكان بوسيله روش مونت كارلوي پخشي پرداخته است . در اين روش مدل ساده اي از نانو خوشه ها به صورت تعريف شرايط مرزي كره، مكعب و بيضي گون غير قابل نفوذ در نظر گرفته شده است . انرژي و طول پيوند تعداد مشخصي اتم سيليكان ( كمتر از ده اتم ) بدون در نظر گرفتن الكترونها، در محاسبه شده اند . انرژي پيوند در جعبه كروي كمتراست در نتيجه Tersoff جعبه هاي كروي، مكعب و بيضي گون با حجمهاي مساوي و با در نظر گرفتن پتانسيل تجربي مي توان ادعا كرد اين سيستم ها متمايل به شكل گيري با تقارن كروي هستند . همچنين در مطالعه تاثير فشار روي طول پيوند براي Si 4 با كاهش حجم طول پيوند نيز كاهش يافت .

Bonding energy and bond length of silicon nanoclusters (less than ten atoms) by considering Tersoff empirical potential and Quantum Monte Carlo method has been studied in different boundary conditions as impenetrable spherical, ellipsoidal and cubic boxes in a same volume. The results show that the systems confined in spherical box have smaller bonding energy, so it can be concluded that the spherical symmetry is favorable for this systems. Also in studying the pressure effect on Si4 , bond length decreased by decreasing the volume