نانو ساختار نيتريد سيليكون در نانو قطعات الكترونيكي

Nano structure of Silicon Nitride in Nano electronic devices

رشد كوچك شدگي سريع ضخامت گيت دي الكتريك باعث شده است تا اكسيد سيليكون فوق نازك را نتوان به عنوان گيت دي الكتريك مناسب در ترانزيستور هاي آتيCMOSدانست از جمله مواد جانشين نيتريد سيليكون است كه داده هاي سيكروتروني و تجزيه و تحليل ساختار فيلم مزبور با Fitxps نشان داده شده است كه از لايه مياني ( آمورف ) با زير لاي هاي سيليكون برخوردار است . چون لايه آمورف باعث كاهش جريان تونل زني ونشتي مي شود مي تواند به عنوان يك گيت دي الكتريك مناسب باشد.

The shrinking of the gate dielectric is so fast in that ultra thin oxide can not be used as a good dielectric in the future of CMOS generation. We Analaysed deconvoluted the synchrotron spection with Fitxps we found an amorphous interface between nitride silicon film and Silicon substrate. there for amorphous interface can reduse the tunneling and leakage current it can be as a good gate dielectric of CMSI