بررسي آسيب بلوري ايجاد شده در بلور سيليسيم بعد از كاشت يون هاي ژرمانيوم

Crystal Damage Studying Created after Ge implantation into Si Crystal

در اين مقاله آسيب ايجاد شده بر اثر كاشت ناخالصي ژرمانيوم با دو دز و انرژي متفاوت را در تك بلور سيليسيم بررسي مي نماييم . پروفايل اتم هاي سيليسيم جابجا شده از مكان شبكه اي خود بر حسب عمق بعد از كاشت يون به دست مي آيد . نتايج به دست آمده با محاسبات نرم افزار TRIM و پيشگويي مدل اصلاح شدهKinchin-Pease مقايسه مي گردد . همچنين در اين مقاله سعي شده است تا اثر دز و انرژي يون هاي كاشت شده در ايجاد آسيب بلوري بررسي گردد . اثر بازپخت حرارتي بر ترميم بلوري شبكه سيليسيم نيز مطالعه مي گردد.

In this paper, we have investigated the effect of energy and dose of Ge ions implanted into Si single crystal on the damage created after implantation. Damage depth profile has been evaluated from obtained experimental data and then, it has been compared to some defect models as the modified Kinchin-Pease model. It is tried to describe the effect of energy and dose of implanted ions on the basis of some defect models. Recrystalization of the Si crystal substrate after heat treatment is studied