بررسي و مقايسه خازن حاشيه اي گيت هاي فلزي و پلي سيليكون در افزاره هاي نانو متري SOI

Fringe Capacitance of Poly and Metal Gates in Nanoscale SOI CMOS Devices

در اين مقاله اثر خازن حاشيه اي فلزي و پلي سيليكون بر روي خازن موثر گيت در افزاره هاي نانو متري SOI بررسي شده است . با استفاده از يك مدل تحليلي نشان داده مي شود كه اثر خازن حاشيه اي گيت هاي پلي بر روي خازن موثر گيت بيش از تاثير خازن حاشيه اي گيت هاي فلزي مي باشد و با مقياس شدن افزاره هاي نانومتري اين تاثير بيشتر مي گردد . براي مدل كردن خازن حاشيه اي گيت هاي فلزي و پلي سيليكون از شيوه نگاشت همديس استفاده شده است .

In this paper we investigate the impact of metal and poly gate electrodes on fringe capacitance of FD SOI MOSFETS. Using an analytical model, it is shown that the fringe capacitance of poly gates contributes more intensively in effective capacitance of the gate than the metal gates. This contribution increases with device scaling and make a limitation to the use of poly gates. In order to model the fringe capacitance of metal and poly gates a conformal mapping technique is applied