انرژي بستگي ناخالصي در سيم كوانتومي v شكل

Binding energy of impurity in V shape quantum wire

انرژي بستگي ناخالصي ها در سيم كوانتومي GaAs/Ga1-xAlxAs با استفاده از روش المانهاي محدود محاسبه گرديده است . در اين مقاله از نظريه تقريب جرم موثر استفاده شده و ارتفاع سد پتانسيل را محدود در نظر گرفته ايم . انرژي بستگي بر حسب موقعيت هاي مختلف ناخالصي در سيم كوانتومي محاسبه و نتايج با ساير مقادير نظري مقايسه گرديده است .

Impuritis binding energy in quantum wire GaAs/Ga1-xAlxAs calculated by using the finite elemens method.. In this paper it used of the effective mass approximation theory and the finit barrier potential is considered.The dependence energy calculated according to different impurity position in quantum wire and the results have been compared with other theorical quantitis