ساخت نانو سيم هاي ZnO به روش اكسيداسيون مستقيم

Synthesise of ZnO nanowires by direct oxidation method

اكسيد روي يك نيمرسانا با نوار انرژي مستقيم و گاف نسبتاٌ پهن 3/37 الكترون ولت در دماي اتاق است و كاربردهاي زيادي در ليزرهاي UV ، سنسورهاي حساس ، سلولهاي خورشيدي و فتوكاتاليستي دارد . اكسيد روي داراي نانو ساختارهاي متفاوت و متنوعي از جمله نانو ذره، نانوسيم، نانوتسمه، نانو ميله و نانو لوله اي است . ساختارهاي يك بعدي اكسيد روي مثل نانوسيمها به دليل كاربرد آنها در نانو الكترونيك و نانو فوتونيك از اهميت زيادي برخوردارند و لذا روشهاي متنوعي براي ساخت آنها ارايه شده است . كه به روشهاي شيميايي تميز شده بود در هوا و يا Zn در اين مطالعه نانوسيمهاي اكسيد روي به ميزان زياد از طريق اكسيداسيون مستقيم يك زير لايه و آناليز (SEM) درجه سانتيگراد تهيه شدند . نانو سيمها از طريق ميكرسكوپ الكتروني روبشي 400 فلويي از اكسيژن و در دماي قطر نانو سيمها از 30 تا 150 نانومتر و طول آنها به چندين ميكرومتر مي رسد . اين روش كه بدون استفاده از كتاليستها صورت مي پذيرد روش مناسبي براي ساخت نانوسيمهاي نيمرسانا مي باشد .

ZnO is a semiconductor which has a direct and wide energy band which is about 3.37 eV at room temperature. It has various applications from UV lasers, sensitive sensors, solar cells to photo catalysis applications. ZnO has different nano structures such as nano particles, nano wires, nano rods, nano tubes and nano belts. The one dimensional ZnO nano structures such as nano wires are very important because of their applications in nano electronics and nano photonics so different methods have been proposed to synthesize them. In this work large scale of ZnO nano wires are produced by direct oxidation a Zn substrate (which was cleaned by chemical methods) in air or oxygen atmosphere at 400°C. Nano wires were investigated by scanning electron microscopy (SEM) and EDX measurements. Their diameter is about 30-150 nano meter and their length is about several micrometer. This method which acts without any catalyst is a convenient method to synthesis semiconductor nano wires