مطالعه قياسي ماسفت يونيزاسيون برخوردي تك و دو گيتي نوع p در ابعاد نانو

A Comparison Study of Nano-Scale Double and Single Gate p-IMOS

در اين مقاله افزاره بديع ماسفت دو گيتي يونيزاسيون برخوردي نوع (DG p-IMOS) p با فناوري سيلسيم بر روي عايق (SOI ) پيشنهاد گرديده است . شبيه سازيهاي انجام شده در دماي 400 K بيانگر آن است كه اين افزاره در مقايسه با ماسفت تك گيتي يونيزاسيون برخوردي نوع (SG p-IMOS ) p متنـاظر خود، داراي شيب زيرآستانه و ولتاژ آستانه كمتري است . به علاوه DG p-IMOS نسبت جريان حالت روشـن بـه حالـت خـاموش (ION / IOFF) و نيـز هدايت انتقالي بيشتري در مقايسه با SG p-IMOS دارد . كاهش ضخامت بدنه در DG p-IMOS سبب كاهش ولتاژ آستانه و افزايش نسبت جريان حالـت روشن به حالت خاموش(ION / IOFF) مي گردد . همچنين ولتاژ آستانه افزاره به ازاء فاصله ثابت بين سورس و درين، با كاهش طول گيت كاهش مي يابد.

In this paper, we propose a novel device called double gate p-IMOS (DG p-IMOS) using Silicon on Insulator (SOI) technology. Simulation studies show that at 400 K this device provides smaller subthreshold slope and threshold voltage than corresponding single gate device (SG p-IMOS). Moreover, the double gate device has higher ON/OFF current ratio and transconductance than the single gate device. Reduction of the body thickness tends to lower threshold voltage and to increase ON/OFF current ratio. Furthermore, for a given spacing between source and drain threshold voltage reduces as the gate length is increased