ساخت و بررسي خواص نانو اكسيد سيليكون توسط XPS

Nano silicon oxide as a gate dielectric of CMOS transistor

ضخامت اكسيد سيليكون در ترانزيستورهاي CMOS فعلي حدود 1/2نانومتر است و عواملي باعث محدود شدن كارايي اكسيد فوق نازك سيليكون در توليدات آتيCMOS مي شود اما تاكنون هيچ عايق دي الكتريك ديگري نتوانست در عمل جايگزين خوبي براي اكسيد سيليكون باشد. بنابراين همچنان نياز به رشد اكسيد سيليكون فوق نازك حدود1nm و نازكتر مي باشد. لذا در اينجا به رشد اكسيد سيليكون درشرايط فوق خلاء پرداختيم وتوانستيم اكسيد سيليكون فوق نازكي بر زير لايه ي سيليكون رشد دهيم كه يك رشد خود- محدودكننده اي را نشان داده است.

The thickness of silicon oxide in current CMOS generation is about 1.2 nm, but some issues limit the application of ultra thin silicon dioxide in the future of CMOS generation. However, no gate dielectric coud fill this gap. We thus need to grow the ultra thin oxide (less than 1 nm ) as a gate dielectric. In this work, the silicon oxide has been grown on silicon substrate under high vacuum condition,which reveals a self-limiting growth