شماره ركورد كنفرانس :
3216
عنوان مقاله :
بررسي تاثير Al در لايه نازك ZnO-Bi2O3
عنوان به زبان ديگر :
Study of the presence of Al in ZnO-Bi2O3 thin film
پديدآورندگان :
ملكي محمدهادي سازمان انرژي اتمي ايران - پژوهشكده ليزر , تاييدي فرزاد دانشگاه صنعتي خواجه نصير الدين طوسي - گروه فيزيك , جاويدان صمد دانشگاه صنعتي خواجه نصير الدين طوسي - گروه فيزيك
كليدواژه :
Al , لايه نازك ZnO-Bi2O3 , روش تبخيري , خلاء , الكترود , اكسيد روي
سال انتشار :
شهريور 1386
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران ۱۳۸۶
چكيده فارسي :
لايه هاي نازك ZnO-Bi2O و Al-ZnO-Bi2O3 ، Al-ZnO-Bi2O3-Alبر روي زير لايه شيشه اي به روش تبخير در خلا لايه نشاني شده و با روشهاي نشاندن الكترود ، دستگاه چهار پروبي و چسب مسي ، مشخصات I-Vآنها رسم شده و اين روشها و تأثير اين روشها بر روي نمونه ها بررسي شده است. تصوير ميكروسكوپ اپتيكي از نمونه با تماس چسب مسي و تماسهاي الكترودي تغيير ساختار بوجود آمده در روي نمونه ها را در ناحيه تماسها نشان مي دهد.
چكيده لاتين :
Al-ZnO-Bi2O3-Al , Al-ZnO-Bi2O3 and ZnO-Bi2O3 thin films are prepared on glass substrate by physical vapor deposition technique and their I-V characteristic are considered by three different contact methods; electrode contacts , four point probe and silver paste contacts. These methods and their effect on samples are compared. Optical microscope images reveal structured changes between the samples
كشور :
ايران
تعداد صفحه 2 :
4
از صفحه :
1
تا صفحه :
4
لينک به اين مدرک :
بازگشت