بررسي اثر هيدروژن در لايه هاي نازك اكسيد قلع آلاييده شده با درصد ها مختلف ناخالصي اينديوم (SnO2:In)

Investigating the Role of Hydrogen on Indium-Doped Tin Oxide Thin Films With Different Dopant Concentration

در انواع ساختارهاي نمونه هاي نبمه هادي، نقايص بلوري ( با چگالي هاي متفاوت ) وجود دارد . اتصالات آويزان ناشي از اين نقايص، باعث به دام اندازي حامل هاي بار و كاهش تحرك حامل ها مي شوند . انتظار مي رود كه قرارگيري لايه نازك SnO2 :In در معرض هيدروژن اتمي موجب افزايش چشمگير هدايت الكتريكي اين لايه ها شود، چرا كه هيدروژن اتمي مي تواند با بستن اتصالات آويزان ( ناشي از نقص هاي بلوري ) ، تحرك حامل هاي بار را افزايش دهد . در اين تحقيق لايه هاي نازك SnO2 :In با درصد هاي مختلف ناخالصي In ساخته شده به روش اسپري پايروليز، در شرايط بهينه هيدروژن دهي شدند . نتيجه اين امر كاهش 30 تا 45 درصدي مقاومت الكتريكي نمونه ها بود در حاليكه كاهش كمي در عبور اپتيكي لايه ها مشاهده شد .

Varieties of crystal defects (of different concentration) exist in all structural forms of semiconductors. The “dangling bonds” created by these defects, capture the charge carriers and reduce mobility of carriers. It has been found that exposure of SnO2:In films to atomic-hydrogen plasma causes a significant increase in electrical conductivity of the films, because atomic hydrogen can terminate the dangling bonds and increase the carrier mobility .In this research, samples of SnO2:In thin films deposited by spray pyrolysis whit different dopant concentration were hydrogenated under optimum condition. The result was a decrease in electrical resistance of about 30 to 45 percent, while little decrease in optical transparency of the films was observed