رشد و مشخصه يابي آرايه هاي نانو سيمي CuO بر روي پايه مس

Fabrication and characterization of CuO nanowires arrays on Cu substrate

انجام عمليات حرارتي بر روي ورقه نازك از جنس مس باعث تشكيل لايه پيوسته اكسيد تك ظرفيتي Cu20 بر روي زيرلايه مس در هوا شد. با افزايش دما به بيش از 400 درجه سانتي گراد آرايه هاي نانوسيم اكسيد دو ظرفيتي CuO به صورت خودساز مانده بر روي زيرلايه Cu20 رشد يافت. در اين مقاله با اندازه گيري خواص ساختاري، اپتيكي و مورفولوژي نانو ساختارها، اثرات تنش سطحي، مدت زمان و دماي اكسايش بر روي شكل گيري نانوسيم ها بررسي شد. مدت زمان و دماي اكسايش به ترتيب بر روي طول و قطر نانوسيم ها تاثير گذار هستند. ايجاد تنش سطحي در لايه فصل مشترك در هنگام رشد باعث افزايش تراكم سطحي نانوسيم ها شد. خواص فوتوديو دي نانوسيم ها تحت تابش نور سفيد بررسي گرديد و نتايج، بيان كننده افزايش 10 برابري در جريان عبوري بر حسب ولتائل اعمالي در بازه 5- تا 5 ولت است.

Continuous Cu2O thin films has been grown on Cu substrate employing thermal method. Increasing the temperature more than 400 oC caused self-organized formation arrays of CuO nanowires on Cu2O thin films by thermal oxidation. In this paper, we have investigated the optical, structural and morphological properties of copper oxide nanostructures by studying the effects of surface stress, temperature and time of oxidation duration on CuO nanowires formation. Changing the time and temperature of oxidation caused the change in the length and diameter of nanowires respectively. On the other hand, making stress on Cu substrate resulted in change in surface density of the nanowires. Photodiode characteristics of nanowires investigated under visible light. As a result 10 times increase was seen at obtained currents by applying voltages between -5 to 5 volts