ساختار الكتروني MgB2 تحت اعمال فشار

Electronic structure of MgB2 under applied pressure

محاسبات ابتدا به ساكن پتانسيل كامل در تقريب شيب تعميم يافته براي سيستم MgB2 انجام شده است . اثر فشار هيدروستاتيكي -15 تا 40 گيگا پاسكال به همراه بررسي مجزاي اثرات تغييرات در ثابت هاي شبكه MgB2 بر ساختار باند و چگالي حالت هاي اين ماده انجام شده است . نتايج نشان مي دهد كه با اعمال فشار چگالي حالت ها در سطح فرمي كاهش مي يابد و نيز با بررسي ساختار نواري اين گونه انتظار مي رود كه دماي گذار ابررسانايي كاهش يابد . همچنين با تغيير پارامترهاي شبكه به طور كلي چگالي حالت ها كاهش مي يابد به جز به ازاي افزايش كمي در پارامتر a كه باعث افزايش چگالي حالت ها مي شود .

Full potential ab initio calculation in generalized gradient approximation (GGA) has been done for MgB2 system. We have investigated the effect of hydrostatic pressure from -15 to 40 GPa. Also, the effect of changing lattice parameters of MgB2 on band structure and density of states (DOS) for this compound is reported. Our results show that by applying pressure, the DOS decreases at the Fermi level. Considering the band structure calculation results, superconducting transition temperature decreases. In General, DOS decreases with the change in the lattice parameters, but for a small increase in (a) parameter, DOS increases