مقايسه ترابرد الكترون ها در نيمرساناهاي InP و InAs در حضور ميدان هاي الكتريكي شديد

A Three Valley Model for Characterization of Electron Transport Properties in InP and InAs in High Applied Electric Field

با استفاده از شبيه سازي مونت كارلو ، مدلي سه دره اي براي مقايسه خواص ترابرد الكترونها در دو نيمرساناي InAs و InP در حضور ميدان هاي شديد مورد استفاده قرار گرفته است . عوامل مختلف پراكندگي الكترونها از فونون ها و اتم هاي ناخالصي در اين شبيه سازي در نظر گرفته شده است . مشخصه هاي ترابرد الكترونها در دو ماده نشان مي دهد كه سرعت سوق الكترونها در InAs بيشتر از InP بوده و در ميدان الكتريكي بزرگتري رخ مي دهد . اين محاسبات در توافق خوبي با اندازه گيري هاي تجربي است .

A Monte carlo simulation has been used to model steady – state electron transport in InP and InAs materials. Various scattering mechanisms from phonons and ionized impurity centers has been assumed in our calculation . Our simulation results show that electron drift velocity in InAs is higher than InP due to a lower electron effective mass in Γ valley . The steady – state velocity field characteristic are in fair agreement with other recent calculations